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半導体レーザの評価項目


半導体レーザの評価項目に関してこの節では説明しようと思う。
どのような製品のコンセプトにするのかで、どの項目が重要であるのかは変わると思うのですが、
大きく評価すべき項目は以下にあげられる。

	評価項目	評価内容	評価詳細
電気	V-I　特性	電圧-電流特性（ダイオード特性）を評価する	�@微小電流領域でのリーク電流の少なさを評価 �A立ち上がり領域でのｐ-ｎ接合での質評価 �B大電流領域での変調特性（LDの直列抵抗）の評価
光電特性	L-I　特性	電流-光出力特性（DC電流とパルス電流特性がある）	�@しきい値の評価 �A傾き（外部微分量子効率）の評価 �B直線性（キンクがないかどうか）の評価
	温度特性	温度変化に対するL-I特性などの変化	�@温度上昇による結晶格子間隔拡大により、バンドギャップが低下し、V-I特性で電圧Vを下げる方向にシフトする（長波長化）ことの評価 �AL-I特性からしきい値が上がる、効率が下がる、最高出力が減ることの評価
	変調特性	高速変調に対するレーザ光の応答特性	�@高速PDと高速OPによる時間応答の様子を評価
光学特性	NEP	端面での光発光形状	�@TVカメラ付き顕微鏡で端面での光スポットを評価
	FFP	光の放射各角の特性、放射パターン特性	�@LDの層方向に平行なθ//と垂直θ⊥成分の強度特性分布を評価する �AFFPはNFPのフーリエ変換になっている
	スペクトル	発光している波長成分	�@サイドモード抑圧比の評価 �Aコヒーレンス特性の評価
	ノイズ特性	光の強度、波長揺らぎ、戻り光がある時の左記の揺らぎ	�@固有ノイズと戻り光の評価
	非点隔差	X方向とY方向での光放射原点の位置の差
	偏光特性	TE/TM(TM/TE)強度比
信頼性	エージング特性	素子寿命（通常APC駆動で駆動電流値が20％上昇するまでの時間で定義する）

以上がLDを評価するときの項目である。
次節でそれらの評価を行ってみようと思う。