
| PNフォトダイオード | PINフォトダイオード | ショットキー型フォトダイオード | APD(アバランシェ・フォトダイオード) | |
|---|---|---|---|---|
| 特徴 | @高速応答(光通信) A逆電圧時の暗電流や耐圧特性がよい |
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| 断面図 | ![]() |
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| エネルギー バンド図 |
![]() 電子正孔対は半導体内のいたるところでhν>Egの 光吸収によって発生する。電子正孔対は空乏層中で 加速され、正孔はP層に電子はN層に運ばれる。 このようにP層、N層でそれぞれ帯電した電荷を 外部回路によって取り出せば電流が発生する。 |
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| 回路図 | ||||
| 備考 | ||||
| 電流電圧特性 | ||||
| 雑音特性 |
